半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池内寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-228888
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074799
出願日： 1996年08月29日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】回路基板上の所定の位置に半導体素子をフェースダウン方式で実装する半導体装置において、前記半導体素子と回路基板間の隙間部全体が、半導体素子面の中心部付近で前記結合層に到達しない領域に位置する絶縁樹脂A8と、前記絶縁樹脂A8を外縁状に取り囲んだ領域に位置する絶縁樹脂B9により充填することにより、電気的接続の品質を高め、生産性を高める。【解決手段】半導体素子1中心部付近で電気的結合層7と接しない領域に位置する絶縁樹脂A8と、前記絶縁樹脂A8を取り囲んだ領域に位置する絶縁樹脂B9の異なる2種類の絶縁樹脂にて構成される。絶縁樹脂9が硬化されると、その硬化収縮力により半導体素子1と回路基板4を接着した後、強力に引きつけて固定する。そのため半導体装置における半導体素子1と回路基板4の接続の機械的強度が高められ、安定が保たれる。

請求項（抜粋）：

回路基板上の所定の位置に半導体素子をフェースダウン方式で実装し、その電気的接合は半導体素子のアルミ電極端子部に形成した導電性金属材料からなる突起電極とこれに接する導電性接着剤からなる結合層を介して行う半導体装置において、前記半導体素子と回路基板間の隙間部全体が、半導体素子面の中心部付近で前記結合層に到達しない領域に位置する絶縁樹脂Aと、前記絶縁樹脂Aを外縁状に取り囲んだ領域に位置する絶縁樹脂Bにより充填されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/56

FI (2件)：

H01L 21/60 311 S , H01L 21/56 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平1-244627
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-300832 出願人：松下電器産業株式会社
部品実装方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-121845 出願人：富士通株式会社

前のページに戻る