特許

J-GLOBAL ID：200903096570032839

真空処理装置及びその処理台

発明者： 角谷 匡規 ,  金井 三郎 ,  伊藤 陽一 ,  藤井 敬 ,  川原 博宣 ,  濱▲崎▼ 良二 ,  高橋 主人 ,  吉開 元彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立テクノエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 高田 幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-143347
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340203
出願日： 1998年05月25日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】ウエハの高温処理に適した静電吸着手段付処理台及び該処理台を備えた真空処理装置を提供する。【解決手段】処理室に設けられた処理台を備え、減圧雰囲気内で前記被処理物を前記処理台に静電吸着し、前記処理台を加熱して前記被処理物を高温で処理する真空処理装置において、前記処理台の電極部材をチタンもしくはチタン合金とし、該電極部材の上に静電吸着用誘電体膜を形成する。なお、チタンとアルミナセラミックスは材料同士の接着の相性が良くないので、ニッケル合金(Ni.AL)を間に挾むのが望ましい。

請求項（抜粋）：

処理室に設けられた処理台を備え、減圧雰囲気内で前記被処理物を前記処理台に静電吸着し、前記処理台を加熱して前記被処理物を高温で処理する真空処理装置において、前記処理台の電極部材をチタンもしくはチタン合金とし、該電極部材の上に静電吸着用誘電体膜を形成したたことを特徴とする真空処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (4件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-041089   出願人：株式会社神戸製鋼所
• 半導体基板の温度調節機構
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-094296   出願人：有限会社ミヤタアールアンディ
• サセプタ温度制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-356442   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 特開平4-330722