特許
J-GLOBAL ID:200903096583349440

基板処理装置排出物からペルフルオロ化合物ガスを低減する方法及び装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-359883
公開番号(公開出願番号):特開平9-321037
出願日: 1996年12月26日
公開日(公表日): 1997年12月12日
要約:
【要約】半導体処理装置から排出されるPFCガスをより害の少ない非PFCガスに転換するための装置。装置の1具体例は、珪素フィルタ及びプラズマ発生システムを含む。プラズマ発生システムは、流出PFCガスからプラズマを形成する。プラズマからの成分は、フィルタ中の珪素及び/又は酸素と反応し、流出PFCガスをより害の少ない非PFC生成物及び副生成物に転換する。他の具体例は、プラズマ発生システム及び粒子物捕捉及び捕集システムを含む。粒子物捕捉及び捕集システムは、かかる残留物を生成する堆積プロセスからの珪素含有残留物を捕捉し、プラズマ発生システムは、流出PFCガスからプラズマを形成する。プラズマからの成分は、流出PFCガスをより害の少ない非PFCガス状生成物及び副生成物に転換するため捕集された残留物と反応する。
請求項(抜粋):
処理チャンバ(processing chamber)からのパーフルオロ化合物(PFC)の排出を低減するための装置であって、入口と出口を有する流体導管(fluid conduit)を画定する導管チャンバ(vessel chamber)と、前記流体導管内のPFC酸化剤、及び前記流体導管内に存在するPFCガスをプラズマ状態に励起し得るプラズマ発生システムを含む装置。
IPC (3件):
H01L 21/31 ZAB ,  B01J 19/08 ,  H01L 21/205
FI (3件):
H01L 21/31 ZAB B ,  B01J 19/08 H ,  H01L 21/205
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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