特許

J-GLOBAL ID：200903096595821714

表面状態測定方法及び測定装置及び研磨装置及び半導体デバイス製造方法

発明者： 瀧口 健二 ,  上田 武彦
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-102944
公開番号（公開出願番号）：特開2001-287159
出願日： 2000年04月05日
公開日（公表日）： 2001年10月16日
要約：

【要約】【課題】 信号波形にノイズがあっても、または信号波形の波長に対する変化が緩やかな場合でも、または信号波形の変化が研磨終了点の前後で極めて微小且つ微妙の場合でも、信号波形と参照値との比較によって、研磨終了点または残膜厚を迅速簡便且つ高精度に測定出来る光学的測定方法、測定装置、研磨装置、を提供することである。【解決手段】本測定方法は、基板面に光を照射し、その反射信号光または透過信号光から得られる信号波形と、参照波形との一致度に基づいて前記基板面の表面状態を測定する方法であり、前記信号波形が、雑音除去処理または規格化が行われた分光波形であり、前記参照波形が、別途測定または計算から得られる一つまたは複数の分光波形であり、前記一致度が、相互相関を用いて計算される。

請求項（抜粋）：

基板面に光を照射し、そこから反射または透過する信号光から得られる信号波形と、参照波形との一致度に基づいて前記基板面の表面状態を測定する方法であり、前記信号波形が、雑音除去処理または規格化が行われた分光波形であり、前記参照波形が、別途測定または計算から得られる一つまたは複数の分光波形であり、前記一致度が、相互相関を用いて計算されることを特徴とする測定方法。

IPC (5件)：

B24B 37/04 ,  B24B 49/12 ,  G01B 11/06 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/66

FI (5件)：

B24B 37/04 K ,  B24B 49/12 ,  G01B 11/06 Z ,  H01L 21/304 622 S ,  H01L 21/66 P

Fターム (62件)：

2F065AA00 ,  2F065AA30 ,  2F065AA49 ,  2F065BB02 ,  2F065BB03 ,  2F065BB22 ,  2F065BB23 ,  2F065CC00 ,  2F065CC19 ,  2F065CC31 ,  2F065CC32 ,  2F065DD03 ,  2F065DD04 ,  2F065DD06 ,  2F065DD12 ,  2F065FF42 ,  2F065GG02 ,  2F065GG03 ,  2F065GG24 ,  2F065HH04 ,  2F065JJ02 ,  2F065JJ18 ,  2F065JJ25 ,  2F065LL04 ,  2F065LL12 ,  2F065LL28 ,  2F065LL30 ,  2F065LL42 ,  2F065LL46 ,  2F065PP13 ,  2F065PP22 ,  2F065QQ16 ,  2F065QQ18 ,  2F065QQ27 ,  2F065QQ41 ,  2F065RR03 ,  3C034AA13 ,  3C034BB93 ,  3C034CA05 ,  3C034CA22 ,  3C034CB03 ,  3C034DD20 ,  3C058AA07 ,  3C058AC02 ,  3C058BA09 ,  3C058BB09 ,  3C058BC02 ,  3C058CA01 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA12 ,  4M106AA01 ,  4M106BA04 ,  4M106CA27 ,  4M106CA48 ,  4M106DH03 ,  4M106DH55 ,  4M106DH57 ,  4M106DJ13 ,  4M106DJ17 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 検出方法及び検出装置及び研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-150963   出願人：株式会社ニコン
• 検出方法及び検出装置及び研摩装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-250071   出願人：株式会社ニコン