特許

J-GLOBAL ID：200903096617322326

スピン依存トンネルセルおよびその形成方法

発明者： ブテット、デコム ,  オン、ミシェル ,  ゾル、ステファーヌ
出願人/特許権者： フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド ,  ル サントル ナショナル ドゥ ラ ルシェルシュ シアンティフィク ,  エス テ マイクロエレクトロニクス クロル 2 エス アー エス
代理人 (1件)： 桑垣 衛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-531543
公開番号（公開出願番号）：特表2009-509346
出願日： 2005年09月20日
公開日（公表日）： 2009年03月05日
要約：

スピン依存トンネリング(SDT)セル(5)は、第1の材料の第1の障壁層(16)と第2の材料の第2の障壁層(18)とを備え、これらは第1の強磁性層(14)と第2の強磁性層(20)との間に挟まれている。第1および第2の障壁層(16,18)は、セル(5)のトンネリング磁気抵抗対電圧特性(24)が非ゼロ・バイアス電圧において最大値(28)を有するような合成厚みに形成される。

請求項（抜粋）：

スピン依存トンネルセル(5)を形成する方法であって、 第1の強磁性体層(14)を形成するステップと、 ハイブリッド障壁を形成するステップであって、第1の強磁性層(14)に隣接する第1の障壁層(16)と第1の障壁層(16)に隣接する第2の障壁層(18)とを形成するステップと、 第2の障壁層(18)に隣接する第2の強磁性体層(20)を形成するステップとを含み、 前記第1及び第2の障壁層(16,18)は、セル(5)のトンネリング磁気抵抗対電圧特性(24)が、使用時に、実質的に非ゼロ・バイアス電圧において最大値(28)を有するような合成厚みに形成される方法。

IPC (4件)：

H01L 43/10 ,  H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105

FI (3件)：

H01L43/10 ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447

Fターム (22件)：

4M119AA15 ,  4M119BB01 ,  4M119DD03 ,  4M119JJ03 ,  5F092AA02 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092BB10 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB46 ,  5F092BC04 ,  5F092BC14 ,  5F092BE27 ,  5F092CA02 ,  5F092CA15

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 強磁性トンネル接合素子及びその製造方法、並びにこの素子を用いた磁気センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-053974   出願人：富士通株式会社
• 磁気トンネル素子及びその製造方法、薄膜磁気ヘッド、磁気メモリ、並びに磁気センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-070650   出願人：ソニー株式会社