特許

J-GLOBAL ID：200903095218136067

磁気トンネル素子及びその製造方法、薄膜磁気ヘッド、磁気メモリ、並びに磁気センサ

発明者： 中塩 栄治 ,  尾上 精二 ,  菅原 淳一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-070650
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314164
出願日： 2001年03月13日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】 バイアス依存性を小さくして磁気抵抗比の低下を抑制することにより、薄膜磁気ヘッド等に適用した場合に高い出力及び高い信頼性が得られる磁気トンネル素子及びその製造方法を提供する。また、この磁気トンネル素子を備えることにより高い出力が得られ信頼性の高い薄膜磁気ヘッド、磁気メモリ、磁気センサを提供する。【解決手段】 複数の強磁性膜5,9の間に金属酸化膜6,7,8から成る絶縁膜11を挟んで積層され、この絶縁膜11(6,7,8)により積層の方向において非対称なトンネル障壁が形成されている磁気トンネル素子1を構成する。また、上記磁気トンネル素子1を備えて、薄膜磁気ヘッド、磁気メモリ、磁気センサを構成する。

請求項（抜粋）：

複数の強磁性膜の間に金属酸化膜から成る絶縁膜を挟んで積層された磁気トンネル素子であって、上記絶縁膜により上記積層の方向において非対称なトンネル障壁が形成されていることを特徴とする磁気トンネル素子。

IPC (10件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/12

FI (11件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 Z ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R ,  H01L 27/10 447

Fターム (18件)：

2G017AA10 ,  2G017AB07 ,  2G017AC01 ,  2G017AC09 ,  2G017AD55 ,  2G017BA05 ,  5D034BA03 ,  5D034BA15 ,  5D034BB08 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA60

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 磁気記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-151368   出願人：株式会社東芝
• 強磁性トンネル接合素子及びその製造方法、並びにこの素子を用いた磁気センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-053974   出願人：富士通株式会社
• 磁気トンネル接合素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-220587   出願人：ソニー株式会社
• 磁気素子とそれを用いた磁気メモリおよび磁気センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-187070   出願人：株式会社東芝