特許
J-GLOBAL ID:200903049269745350

強磁性トンネル接合素子及びその製造方法、並びにこの素子を用いた磁気センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 石田 敬 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-053974
公開番号(公開出願番号):特開2000-251230
出願日: 1999年03月02日
公開日(公表日): 2000年09月14日
要約:
【要約】【課題】 抵抗値と抵抗変化率の電圧依存性を低減あるいは抑制した強磁性トンネル接合素子を提供する。【解決手段】 強磁性材料層21/絶縁体層26/強磁性材料層22の積層構造のトンネル接合を含み、このトンネル接合が電圧印加方向に非対称な電圧-抵抗特性をもつようにする。
請求項(抜粋):
強磁性材料/絶縁体/強磁性材料の積層構造のトンネル接合を含み、このトンネル接合が電圧印加方向に非対称な電圧-抵抗特性をもつことを特徴とする強磁性トンネル接合素子。
IPC (2件):
G11B 5/39 ,  H01L 43/08
FI (2件):
G11B 5/39 ,  H01L 43/08 Z
Fターム (3件):
5D034BA03 ,  5D034BA15 ,  5D034DA07
引用特許:
審査官引用 (5件)
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