特許
J-GLOBAL ID：200903096628600263
自発光素子の製造方法、および自発光素子の製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 エビス国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-284704
公開番号（公開出願番号）：特開2007-095545
出願日： 2005年09月29日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：
【課題】成膜不良の改善あるいは自発光素子のリーク電流発生防止のために加熱処理を行う場合に、処理スペースを増すことなく成膜不良等の改善が可能になること、自発光素子の製造時間を短縮することで良好な生産性を得ることができること。【解決手段】製造装置10は、成膜室20と、被成膜対象の基板1を成膜室20内で保持し、基板1を成膜材料の略ガラス転移温度(Tg)よりも低く保持する基板保持部21と、基板保持部21により保持された基板1の被成膜面に向かって、成膜材料の原料ガスGmを発生する原料ガス発生部22と、成膜材料の略ガラス転移温度(Tg)以上の温度の不活性ガスGiを、基板1の成膜面に向かって発生する不活性ガス発生部23とを有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に直接または他の層を介して下部電極を形成し、前記下部電極上に成膜層を積層した上に、上部電極を形成する自発光素子の製造方法であって、
前記成膜層を成膜する成膜工程において、被成膜対象の前記基板を成膜室内で保持し、前記基板を成膜材料の略ガラス転移温度よりも低い温度で保持した状態で、前記基板の被成膜面に向かって成膜材料の原料ガスを放出する工程と、
前記成膜材料の略ガラス転移温度以上の温度の不活性ガスを前記基板の成膜面に向かって放出する工程と
を有することを特徴とする自発光素子の製造方法。
IPC (5件)：
H05B 33/10
, H01L 51/50
, C23C 14/58
, C23C 14/12
, C23C 14/24
H05B33/10
, H05B33/14 A
, C23C14/58 A
, C23C14/12
, C23C14/24 R
3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007DB03
, 3K007FA01
, 3K007FA03
, 4K029BA62
, 4K029BD00
, 4K029CA01
, 4K029EA08
, 4K029GA01
