特許

J-GLOBAL ID：200903096635815828

ウェハ研磨装置用テーブル

発明者： 石川 茂治 ,  高木 英樹
出願人/特許権者： イビデン株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-362743
公開番号（公開出願番号）：特開2001-179614
出願日： 1999年12月21日
公開日（公表日）： 2001年07月03日
要約：

【要約】【課題】 破壊しにくくて、半導体ウェハの大口径化・高品質化を確実に達成できるウェハ研磨装置用テーブルを提供すること。【解決手段】 このテーブル2は、複数枚のセラミックス基材11A,11B,11Cを積層してなる積層構造物からなる。そのうち、セラミックス基材11Bの片側面には、流体流路12の一部をなす溝13が形成されている。積層構造物の上部には、ウェハ保持プレート6の保持面6aに保持されている半導体ウェハ5が摺接される研磨面2aを有する。溝13が形成されたセラミックス基材11Bを厚さ方向から見たときの投影面積に占める溝形成部位の面積の割合は、30%〜70%に設定されている。

請求項（抜粋）：

少なくとも片側面に流体流路の一部をなす溝が形成されたセラミックス基材を含む複数枚のセラミックス基材を、ロウ材層を介して接合した積層構造物からなり、その上部に、ウェハ研磨装置を構成しているウェハ保持プレートの保持面に保持されている半導体ウェハが摺接される研磨面を有するテーブルにおいて、前記溝が形成されたセラミックス基材を厚さ方向から見たときの投影面積に占める溝形成部位の面積の比率が30%〜70%に設定されていることを特徴とするウェハ研磨装置用テーブル。

IPC (3件)：

B24B 37/04 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/68

FI (3件)：

B24B 37/04 A ,  H01L 21/304 622 R ,  H01L 21/68 N

Fターム (12件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058BC02 ,  3C058CB03 ,  3C058CB06 ,  3C058DA17 ,  5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA05 ,  5F031HA14 ,  5F031MA22 ,  5F031PA18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 研磨用定盤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-114633   出願人：不二越機械工業株式会社
• 平面加工方法およびこれに用いる平面加工装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-056211   出願人：信越半導体株式会社
• 特開昭59-057972