特許

J-GLOBAL ID：200903096683125612

半導体研磨用組成物

発明者： 寺本 匡志 ,  中野 裕之 ,  板井 康行 ,  西田 芳和 ,  森岡 善隆
出願人/特許権者： ニッタ・ハース株式会社
代理人 (3件)： 西教 圭一郎 ,  杉山 毅至 ,  廣瀬 峰太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-179764
公開番号（公開出願番号）：特開2006-352043
出願日： 2005年06月20日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：

【課題】 ヘイズレベルを向上させ、低ヘイズ化を実現でき、特に最終段階で使用するのに好適な研磨用組成物を提供することを目的とする。【解決手段】 砥粒、塩基性低分子化合物および水溶性高分子化合物を含む半導体研摩用組成物であって、塩基性低分子化合物には、第4級アンモニウム化合物を含み、その第4級アンモニウム化合物の含有量は、半導体研磨用組成物全量の0.5ppm以上100ppm以下である。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

砥粒、塩基性低分子化合物および水溶性高分子化合物を含み、 前記塩基性低分子化合物は、第4級アンモニウム化合物を含み、 前記第4級アンモニウム化合物の含有量は、半導体研磨用組成物全量の0.5ppm以上100ppm以下であることを特徴とする半導体研磨用組成物。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14

FI (4件)：

H01L21/304 622D ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z

Fターム (6件)：

3C058AA07 ,  3C058CB02 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特許2714411号公報
  
• 研磨用組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-280592   出願人：株式会社フジミインコーポレーテッド
• 研磨用組成物および表面処理用組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-169428   出願人：株式会社フジミインコーポレーテッド

審査官引用 (2件)

• 研磨組成物
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-571362   出願人：ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズシーエムピーホウルディングスインコーポレイテッド
• 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-287448   出願人：株式会社フジミインコーポレーテッド