特許

J-GLOBAL ID：200903096688815536

シリコンのナノ粒子を利用した非晶質シリコンの結晶化法

発明者： 姜 閏 浩
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-138104
公開番号（公開出願番号）：特開2004-015052
出願日： 2003年05月16日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：

【課題】シリコンのナノ粒子を利用した非晶質シリコンの結晶化法を提供する。【解決手段】非晶質シリコン膜の表面にシリコンで構成されるナノ粒子を供給する第1段階と、前記ナノ粒子を供給している間に、前記非晶質シリコン膜とその表面に到達する前記ナノ粒子とを間欠的に溶融させる第2段階と、前記非晶質シリコン膜を冷却し、溶融していない前記ナノ粒子を結晶核として結晶を成長させることにより多結晶シリコン膜を形成する第3段階と、を含むことを特徴とする非晶質シリコンの結晶化法。これにより、外部から供給されるナノ粒子を結晶核として非晶質シリコン膜を結晶化させて形成される結晶粒径を大きくでき、さらにナノ粒子の数と大きさとを調節することにより結晶粒径のサイズ及びその配列を制御できる。【選択図】 図2C

請求項（抜粋）：

非晶質シリコン膜の表面にシリコンで構成されるナノ粒子を供給する第1段階と、 前記ナノ粒子を供給している間に、前記非晶質シリコン膜とその表面に到達する前記ナノ粒子とを間欠的に溶融させる第2段階と、 前記非晶質シリコン膜を冷却し、溶融していない前記ナノ粒子を結晶核として結晶を成長させることにより多結晶シリコン膜を形成する第3段階と、 を含むことを特徴とする非晶質シリコンの結晶化法。

IPC (5件)：

H01L21/20 ,  B82B3/00 ,  H01L21/208 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

FI (4件)：

H01L21/20 ,  B82B3/00 ,  H01L21/208 L ,  H01L29/78 627G

Fターム (23件)：

5F052AA02 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052GA02 ,  5F052JA01 ,  5F053AA25 ,  5F053DD01 ,  5F053FF01 ,  5F053FF10 ,  5F053GG02 ,  5F053HH01 ,  5F053RR20 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110PP03 ,  5F110PP13 ,  5F110PP36

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 多結晶薄膜の形成方法および薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-003631   出願人：松下電器産業株式会社
• 非晶質シリコン薄膜の結晶化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-209858   出願人：セミシスコ株式会社
• 多結晶シリコン膜及びその生産方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-084739   出願人：白井肇, 株式会社日本製鋼所