特許

J-GLOBAL ID：200903096696220576

堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法

発明者： 青田 幸人 ,  小池 淳 ,  金井 正博
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 長尾 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-094418
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284262
出願日： 2000年03月30日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】大面積でかつ高速に成膜することができ、被処理体に欠陥が発生することなく、機能膜及び高品質の薄膜を形成することができ、また、プラズマCVD法やスパッタリング法、エッチング法などを用いた堆積膜形成装置においても大面積プラズマを実現し、欠陥のない、より良好な堆積膜処理が可能な堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法を提供する。【解決手段】カソード電極に高周波電力を印加して原料ガスをプラズマ化し、反応空間内の基板上にプラズマCVD法により堆積膜を形成する堆積膜形成装置または方法において、前記カソード電極の下部及びその周辺での放電、並びに該カソード電極の下部への原料ガスとプラズマの回り込みを抑えるように構成する。

請求項（抜粋）：

反応空間を有する真空容器と、該反応空間内に原料ガスを供給するガス供給手段と、該反応空間内のガスを排気するガス排気手段と、該反応空間内に高周波電源からの高周波電力を印加するためのカソード電極と、該カソード電極に対向する接地電極とを有し、該反応空間内の基板上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、前記カソード電極の下部及びその周辺での放電、並びに該カソード電極の下部への原料ガスやプラズマ等の回り込みを抑える構造を有することを特徴とする堆積膜形成装置。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 31/04

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 B ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/302 C ,  H01L 31/04 V

Fターム (44件)：

4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB05 ,  4K030CA06 ,  4K030EA06 ,  4K030FA03 ,  4K030JA03 ,  4K030JA18 ,  4K030KA08 ,  4K030LA16 ,  4K057DA01 ,  4K057DA20 ,  4K057DG20 ,  4K057DM03 ,  4K057DM06 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA06 ,  5F004BB11 ,  5F004BB17 ,  5F004BB18 ,  5F004BB26 ,  5F004BC08 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045BB02 ,  5F045BB15 ,  5F045DP05 ,  5F045DQ10 ,  5F045EH04 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA12 ,  5F051BA14 ,  5F051CA16 ,  5F051CA23 ,  5F051GA03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特公平1-019254
  
• プラズマCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-120396   出願人：松下電器産業株式会社
• 薄膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-124232   出願人：キヤノン株式会社
• 特公平1-019254