エッチング終点検出方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-072496
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257195
出願日： 2000年03月10日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：

【要約】【課題】チップ内におけるSiのエッチング面積が小さい場合に終点検出を可能とする。【解決手段】酸化膜上にシリコン層が配置されたウェハ1を用意し、気相エッチングにより、このウェハ1における有効エリア2に対してはチップパターンを、非有効エリア3に対してはダミーパターンを同時に形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁膜(11)上にシリコン層(1a)が配置されたウェハ(1)を用意し、前記ウェハ(1)のうちのチップ形成領域(2)の所定部分において前記シリコン層(1a)をエッチングし、エッチングの終了をプラズマ発光スペクトル強度の変化により判断するエッチング終点検出方法において、前記エッチング時には、前記ウェハ(1)のうちのチップ形成領域(2)以外の領域(3)もエッチングすることを特徴とするエッチング終点検出方法。

Fターム (6件)：

5F004AA16 , 5F004BA04 , 5F004CB02 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DB01

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平1-189924
特開平4-206519
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-343273 出願人：岩手東芝エレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝

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