特許

J-GLOBAL ID：200903096721765639

高周波用誘電体セラミックスおよびその製造方法

発明者： 田島 健一 ,  中村 勝美 ,  丸山 博 ,  森島 隆仁
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-290429
公開番号（公開出願番号）：特開平10-045472
出願日： 1996年10月31日
公開日（公表日）： 1998年02月17日
要約：

【要約】高周波用誘電体セラミックスは、形状が大型になるに従い、Q値が著しく低下するという問題点があった。【解決手段】周波数100MHzからGHz帯で使用される最小厚みが20mm以上の誘電体セラミックスの製造方法であって、セラミック原料粉末を所定形状に成形した後、該成形体にマイクロ波を照射し加熱焼結して、Q×f値(f:測定周波数(GHz) 、Q:品質係数)が10,000以上、セラミックスの表層部から切り出した直径10mm、厚み5mmの円柱体のQ×f値をX1 とし、該セラミックスの中心部から切り出した直径10mm、厚み5mmの円柱体のQ×f値をX2 としたとき、X2 /X1 で表される比率が0.8以上のセラミックスを得る。

請求項（抜粋）：

最小厚みが20mm以上のQ×f値(f:測定周波数(GHz) 、Q:品質係数)が10,000以上の誘電体セラミックスであって、該セラミックスの表層部から切り出した直径10mm、厚み5mmの円柱体のQ×f値をX1とし、該セラミックスの中心部から切り出した直径10mm、厚み5mmの円柱体のQ×f値をX2 としたとき、X2 /X1 で表される比率が0.8以上であることを特徴とする高周波用誘電体セラミックス。

IPC (3件)：

C04B 35/495 ,  C04B 35/64 ,  H01P 7/10

FI (3件)：

C04B 35/00 J ,  H01P 7/10 ,  C04B 35/64 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 誘電体磁器組成物および誘電体共振器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-332727   出願人：新日本製鐵株式会社
• マイクロ波加熱装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-349748   出願人：株式会社豊田中央研究所
• 特公平7-054744