光半導体素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-248453
公開番号（公開出願番号）：特開平8-086988
出願日： 1994年09月17日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【目的】高速変調時にも波長チャープが小さく、長距離伝送可能な電界吸収型半導体光変調器を提供すること。【構成】 n型InP基板1上に量子井戸構造の半導体導波層2,p型InPクラッド層3,p型InGaAsコンタクト層4及びp型オーミック電極が形成され、基板1の下面にn型オーミック電極が形成され、半導体導波層2に電圧信号を印加することにより光の変調を行う電界吸収型半導体光変調器において、半導体導波層2を、層厚の異なる第1及び第2のInGaAs量子井戸層21,22とInGaAsPバリア層23を交互に積層した多重量子井戸構造と、これを挟むように積層されたInGaAsP層24,25で形成し、量子井戸層21,22におけるαパラメータの電界依存性が異なるようにしたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

量子井戸構造からなる半導体光導波路と、この半導体光導波路に電気信号を入力する手段とを備えた光半導体素子であって、前記量子井戸構造は少なくとも2種類の量子井戸層からなり、第1の量子井戸層の励起子波長と第2の量子井戸層の励起子波長とが異なるように形成し、前記光導波路としての(屈折率変化/吸収係数変化)の電界依存性が、第1及び第2の量子井戸層のそれぞれにおける(屈折率変化/吸収係数変化)の電界依存性よりも小さくなるようにしたことを特徴とする光半導体素子。

IPC (2件)：

G02F 1/025 , G02F 1/015 501

引用特許：

審査官引用 (6件)

光変調器および発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-134236 出願人：株式会社日立製作所
光半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-332851 出願人：富士通株式会社
特開平4-076979

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