特許
J-GLOBAL ID：200903096783834327
半導体集積回路素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
作田 康夫
, 井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-158625
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340555
出願日： 2004年05月28日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：
【課題】インターポーザ構造を使用することなく、最短距離にデカップリングコンデンサを配置した半導体集積回路素子を提供する。【解決手段】集積回路が形成されたシリコン基板11の配線層13形成面と対向する反対側の面に薄膜コンデンサ14を形成し、配線層13の電源、グランドと薄膜コンデンサ14を貫通スルーホール16で接続する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体集積回路が形成されたシリコン基板の配線層形成面と対向する反対の面に薄膜コンデンサを形成し、配線層と薄膜コンデンサを貫通スルーホールで接続したことを特徴とする半導体集積回路素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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