半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-210176
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055769
出願日： 2002年07月18日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

【課題】インターポーザ構造を使用することなく、半導体集積回路素子の近傍の最短距離にデカップリングキャパシタを実装することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】支持基板1と、支持基板上に実装された半導体集積回路素子2と、半導体集積回路素子の高周波領域での安定動作を可能にする薄膜キャパシタ20とを備える半導体装置において、薄膜キャパシタ20が半導体集積回路素子2下面の電極パッドに電気的に接続され、かつ、支持基板1上における薄膜キャパシタ20の基板を含めた厚さが半導体集積回路素子のバンプ高さよりも小さい。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

支持基板と、前記支持基板上に実装された半導体集積回路素子と、前記半導体集積回路素子の高周波領域での安定動作を可能にするキャパシタとを備える半導体装置であって、前記キャパシタは、前記半導体集積回路素子下面の電極パッドに電気的に接続され、前記支持基板上における前記キャパシタの基板を含めた厚さが前記半導体集積回路素子のバンプ高さより小さいか、あるいは等しいことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L25/00 , H01L23/12

FI (2件)：

H01L25/00 B , H01L23/12 B

引用特許：

審査官引用 (5件)

コンデンサ実装構造および方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-282097 出願人：日本電気株式会社
薄膜電子部品
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-084244 出願人：京セラ株式会社
特開平2-062069

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