特許
J-GLOBAL ID：200903096787282965
ハイブリッド光集積回路の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 広志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-067673
公開番号（公開出願番号）：特開平9-258046
出願日： 1996年03月25日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：
【要約】【課題】 上部クラッド層4をドライエッチングして、シリコン基板1の丘1aの上面を露出させた後、上部クラッド層4上のエッチングマスク5を除去するときに、丘1aの上面や、上部クラッド層4、コア3a、下部クラッド層2にダメージを与えないようにする。【解決手段】 上部クラッド層4上に形成するエッチングマスク5としてWSi膜を使用し、上部クラッド層4のエッチング終了後、WSi膜をHF-HNO3 -H2 O系エッチャントによるウェットエッチングにより除去する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板(1)の上面の一部に半導体光素子搭載用の丘(1a)を形成する工程、丘(1a)を形成したシリコン基板(1)の上に下部クラッド層(2)を形成する工程、シリコン基板の丘(1a)の上面と下部クラッド層(2)の上面が同一平面になるように研磨する工程、研磨面上にコア層(3)を形成した後、そのコア層(3)をパターニングして所望のパターンのコア(3a)を形成する工程、コア(3a)を覆うように上部クラッド層(4)を形成する工程、上部クラッド層(4)上にエッチングマスク(5)を形成した後、エッチングによりシリコン基板の丘(1a)の上の上部クラッド層を除去して、丘(1a)の上面を露出させる工程、上部クラッド層(4)上のエッチングマスク(5)を除去する工程、シリコン基板の丘(1a)の上面に半導体光素子(7)を搭載する工程、を含むハイブリッド光集積回路の製造方法において、前記上部クラッド層(4)上に形成するエッチングマスク(5)としてWSi膜を使用し、上部クラッド層(4)のエッチング終了後、WSi膜をHF-HNO3 -H2 O系エッチャントによるウェットエッチングにより除去する、ことを特徴とするハイブリッド光集積回路の製造方法。
引用特許：
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