特許
J-GLOBAL ID：200903096806591095
半導体素子の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹内 澄夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-269358
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094067
出願日： 1999年09月22日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：
【要約】【課題】減圧下の搬送により連続的にPH3アニールすることにより,効果的にキャパシタンス容量の増加を行い,さらに低温で窒化処理を行うことにより,安定性及び再現性に優れた半導体素子の製造方法を与える。【解決手段】半導体基板上に表面が凹凸のポリシリコンから成るキャパシタ電極を形成するための方法が与えられる。該方法は,前処理として,アモルファスシリコン表面に付着した自然酸化膜を除去する工程と,所定の温度まで前記アモルファスシリコンをヒートアップする工程と,所定の濃度のSiH4を前記アモルファスシリコンに吹き付け,表面にアモルファスシリコン/ポリシリコン混相活性層を形成する工程と,前記アモルファスシリコンの表面が凹凸になるようHSGを形成するべく所定の温度でアニールする工程と,HSGが形成された前記ポリシリコンをPH3アニールする工程であって,所定の温度にヒートアップする段階から所定の濃度のPH3を流すところの工程と,PH3の替わりにNH3ガスを続けて流し,前記アモルファスシリコンの表面を所定の温度で窒化処理する工程と,から成る。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に表面が凹凸のポリシリコンから成るキャパシタ電極を形成するための方法であって,前処理として,アモルファスシリコン表面に付着した自然酸化膜を除去する工程と,所定の温度まで前記アモルファスシリコンをヒートアップする工程と,所定の濃度のSiH4を前記アモルファスシリコンに吹き付け,表面にアモルファスシリコン/ポリシリコン混相活性層を形成する工程と,前記アモルファスシリコンの表面が凹凸になるようHSGを形成するべく所定の温度でアニールする工程と,HSGが形成された前記ポリシリコンをPH3アニールする工程であって,所定の温度にヒートアップする段階から所定の濃度のPH3を流すところの工程と,PH3の替わりにNH3ガスを続けて流し,前記アモルファスシリコンの表面を所定の温度で窒化処理する工程と,から成る方法。
IPC (2件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
5F083AD62
, 5F083GA27
, 5F083GA28
, 5F083GA30
, 5F083JA19
, 5F083JA32
, 5F083JA33
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083PR05
, 5F083PR15
, 5F083PR33
