アクティブマトリクス基板及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-364156
公開番号（公開出願番号）：特開2000-187245
出願日： 1998年12月22日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：

【要約】【課題】高開口率のアクティブマトリクス基板及びそのための製造工程の増加を抑えた製造方法を実現する。【解決手段】基板上に形成された複数のゲートバス配線と、複数のソースバス配線と、ゲートバス配線とソースバス配線の交点にはゲート電極と、ソース領域、ドレイン領域、チャネル領域を有する半導体層とを備えた複数の薄膜トランジスタと、付加容量共通配線と、画素電極とを備えたアクティブマトリクス基板であって、前記ゲート電極は金属もしくは低抵抗の半導体材料によって形成され、前記ゲートバス配線及び前記付加容量共通配線は、透光性の導電膜によって形成されることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された複数のゲートバス配線と、複数のソースバス配線と、ゲートバス配線とソースバス配線の交点にはゲート電極、ソース領域、ドレイン領域、チャネル領域を有する半導体層及びゲート絶縁膜を備えた複数の薄膜トランジスタと、付加容量共通配線と、画素電極と、を備えたアクティブマトリクス基板であって、前記付加容量共通配線と前記ドレイン領域の延在部とはオーバーラップし付加容量が形成されており、前記ゲート絶縁膜を前記付加容量を形成するための絶縁膜とし、前記付加容量共通配線は透光性の導電膜によって形成される事を特徴とするアクティブマトリクス基板。

IPC (2件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1343

FI (2件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1343

Fターム (16件)：

2H092JA24 , 2H092JA34 , 2H092JA36 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JA46 , 2H092JB69 , 2H092KA04 , 2H092KA10 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA15 , 2H092NA07 , 2H092NA21 , 2H092NA28 , 2H092PA01

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平2-100024
特開昭63-121886
特開平2-044317

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