CVD成膜法における原料化合物の昇華方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：和田憲治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-068964
公開番号（公開出願番号）：特開平10-025576
出願日： 1997年03月07日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：

【要約】【課題】原料化合物を固体状態から昇華させて成膜させるCVD法において,処理のあいだ固体化合物の露出表面積を一定に維持すること。【解決手段】 CVD用原料化合物をその融点以下の温度に加熱して固体状態から昇華させ,その気化した原料化合物を成膜用反応炉に送気するCVD成膜法において,該固体化合物をフイルム状としてその裏面を非反応性の支持物体で覆い,他方の表面を雰囲気中に露出して昇華表面とすることを特徴とするCVD成膜法における原料化合物の昇華方法。

請求項（抜粋）：

CVD用原料化合物をその融点以下の温度に加熱して固体状態から昇華させ,その気化した原料化合物を成膜用反応炉に送気するCVD成膜法において,該固体化合物をフイルム状としてその裏面を非反応性の支持物体で覆い,他方の表面を雰囲気中に露出して昇華表面とすることを特徴とするCVD成膜法における原料化合物の昇華方法。

IPC (5件)：

C23C 16/44 , C30B 25/14 , C30B 29/30 , H01L 21/205 , H01L 21/31

FI (5件)：

C23C 16/44 C , C30B 25/14 , C30B 29/30 A , H01L 21/205 , H01L 21/31 B

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平1-265511
特開平1-265511
特開昭63-271817

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