特許
J-GLOBAL ID:200903096850536204

エッチング剤組成物及びパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 曾我 道照 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-332781
公開番号(公開出願番号):特開2003-138389
出願日: 2001年10月30日
公開日(公表日): 2003年05月14日
要約:
【要約】【課題】 銅含有材料からなる給電膜を十分にエッチングした場合でも、銅含有材料からなる電解メッキ層のエッチングが少ないエッチング剤組成物およびパターン形成方法を提供すること。【解決手段】 2価鉄イオン、塩酸、銅含有材料エッチング抑制剤、及び銅含有材料エッチング促進剤を必須成分とする水溶液からなるエッチング剤組成物と、基板上に電解メッキ用の、無電解メッキ法により銅含有材料からなる層を主体とする給電膜を形成する第1工程、給電膜上にレジストパターンを形成する第2工程、レジストパターンの開口部に電解メッキ法により銅含有材料からなる電解メッキ層を形成する第3工程、レジストパターンを除去する第4工程、給電膜の不要部分を、前記エッチング剤組成物を用いてエッチングすることにより除去する第5工程、を有するパターン形成方法。
請求項(抜粋):
2価鉄イオン、塩酸、銅含有材料エッチング抑制剤、及び銅含有材料エッチング促進剤を必須成分とする水溶液からなることを特徴とするエッチング剤組成物。
IPC (5件):
C23F 1/18 ,  C23C 28/00 ,  C25D 7/00 ,  H05K 3/06 ,  H05K 3/18
FI (5件):
C23F 1/18 ,  C23C 28/00 E ,  C25D 7/00 J ,  H05K 3/06 N ,  H05K 3/18 H
Fターム (52件):
4K024AA09 ,  4K024AB01 ,  4K024AB02 ,  4K024AB08 ,  4K024AB17 ,  4K024BA12 ,  4K024BB11 ,  4K024DB09 ,  4K024DB10 ,  4K024FA07 ,  4K024FA08 ,  4K044AA16 ,  4K044AB02 ,  4K044BA06 ,  4K044BB03 ,  4K044BB10 ,  4K044BC14 ,  4K044CA15 ,  4K044CA18 ,  4K044CA64 ,  4K057WA10 ,  4K057WA13 ,  4K057WB04 ,  4K057WB15 ,  4K057WE08 ,  4K057WF01 ,  4K057WF06 ,  4K057WF10 ,  4K057WN01 ,  4K057WN02 ,  5E339AB02 ,  5E339BC02 ,  5E339BD03 ,  5E339BD08 ,  5E339BE13 ,  5E339BE17 ,  5E339GG02 ,  5E343AA12 ,  5E343AA15 ,  5E343AA17 ,  5E343AA18 ,  5E343BB24 ,  5E343CC62 ,  5E343DD33 ,  5E343DD43 ,  5E343ER12 ,  5E343ER13 ,  5E343ER16 ,  5E343ER18 ,  5E343ER21 ,  5E343ER26 ,  5E343GG08
引用特許:
審査官引用 (3件)

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