オゾン処理装置及びオゾン処理方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木村満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-369430
公開番号（公開出願番号）：特開2001-179079
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月03日
要約：

【要約】【課題】オゾンの流量を大流量にすると共に、被処理体の全面に均一なオゾン処理を行うことができるオゾン処理装置及びオゾン処理方法を提供する。【解決手段】オゾン処理装置1は、処理室3a内にオゾンを供給するオゾン供給管8と、処理室3aに接続された排気管14とを備えている。オゾン供給管8は、マニホールド3の側面に設けられている。排気管14は、オゾン供給管8に対向するように配置された排気口13に接続されている。そして、オゾン供給管8から反応管2の天井に到達するようにオゾンを供給し、真空ポンプ16により処理室3a内のガスを排気することによってオゾンを処理領域3bに供給する。

請求項（抜粋）：

被処理体をオゾン処理するオゾン処理装置であって、前記被処理体をオゾン処理する処理領域を有すると共に、少なくとも該処理領域の一方側に非処理領域を有する処理室と、前記処理領域の一方側の非処理領域に配置され、該非処理領域から前記処理領域の他方側に到達するように、前記処理室内にオゾンを供給する少なくとも一つのオゾン供給管と、前記オゾン供給管に接続されたオゾン供給手段と、前記処理領域の一方側の非処理領域に設けられ、前記処理室内のガスを排気する排気口と、前記排気口に接続され、前記処理室内のガスを排気することにより、前記処理領域の他方側に到達したオゾンを前記処理領域に供給する排気手段と、を備える、ことを特徴とするオゾン処理装置。

IPC (4件)：

B01J 19/00 , H01L 21/3065 , H01L 21/31 , H01L 21/316

FI (5件)：

B01J 19/00 K , H01L 21/31 B , H01L 21/31 E , H01L 21/316 S , H01L 21/302 H

Fターム (47件)：

4G075AA22 , 4G075BA06 , 4G075BD14 , 4G075CA51 , 4G075CA62 , 4G075DA02 , 4G075EB01 , 4G075FB01 , 4G075FC13 , 5F004AA01 , 5F004BB19 , 5F004BB28 , 5F004BC01 , 5F004BC03 , 5F004BC07 , 5F004BD01 , 5F004CA02 , 5F004CA04 , 5F004CA05 , 5F004DA27 , 5F004DB26 , 5F045AA08 , 5F045AB32 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045BB01 , 5F045DP19 , 5F045DQ05 , 5F045EB02 , 5F045EF02 , 5F045EG02 , 5F045EN01 , 5F045GB15 , 5F058BC02 , 5F058BD04 , 5F058BF55 , 5F058BF60 , 5F058BF62 , 5F058BG01 , 5F058BG02 , 5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (6件)

ウェハの位置決め方法およびそれを用いた半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-053530 出願人：株式会社日立製作所, 日立電子エンジニアリング株式会社
ガス流量制御方法およびそれを用いる半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-289509 出願人：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社
シリコン酸化膜の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-231944 出願人：富士通株式会社

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