特許
J-GLOBAL ID：200903096878772361

半導体装置の製造方法

発明者：
末吉 康彦

末吉 康彦 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-375582
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184716
出願日： 2000年12月11日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：
【要約】【課題】 シリサイド構造を有する半導体装置において、シリサイド膜のシート抵抗が高くなることにより生じるトランジスタ特性の劣化を防止する半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供するものである。【解決手段】 上記課題を解決するために、本発明は、シリサイド膜形成前に生じる汚染層とダメージ層を熱酸化法によりシリコン酸化膜中に取り込み、除去することにより汚染層とダメージ層を除去することを特徴とする半導体装置及び半導体装置の製造方法である。
請求項（抜粋）：
シリサイド構造を有する半導体装置の製造方法において、シリサイド膜形成前のシリコン表面のフロロカーボンによる汚染層とSiCを含むダメージ層を熱酸化法によりシリコン酸化膜中に取り込み、前記シリコン酸化膜を除去することにより、前記汚染層及び前記ダメージ層を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (4件)：
H01L 21/28 A ,  H01L 21/28 301 S ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 29/78 301 P
Fターム (47件)：
4M104AA01 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB24 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB28 ,  4M104CC01 ,  4M104DD02 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104EE09 ,  4M104HH16 ,  5F033KK25 ,  5F033KK26 ,  5F033KK27 ,  5F033KK28 ,  5F033KK29 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ76 ,  5F033QQ91 ,  5F033TT08 ,  5F033WW02 ,  5F033XX10 ,  5F140AA10 ,  5F140BF04 ,  5F140BG12 ,  5F140BG28 ,  5F140BG38 ,  5F140BG41 ,  5F140BG44 ,  5F140BG45 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH07 ,  5F140BH18 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB02
引用特許：
審査官引用 (3件)

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