特許
J-GLOBAL ID：200903096917711383

双方向スイッチング素子およびその製造方法

発明者：
松崎 一夫

松崎 一夫 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-177569
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082413
出願日： 1999年06月24日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：
【要約】【課題】製造プロセスが低温で、他の部品と集積化が容易な、且つ簡便な構造で、低コストの双方向スイッチング素子を提供すること。【解決手段】シリコン基板100上に、シリコン基板100から酸化膜1bで電気的に絶縁されて形成されたMo膜6、16とTi膜7、17からなる第1ゲート電極5および第2ゲート電極15が互いに電気的に接続して設けられており、この第1ゲート電極5および第2ゲート電極15を挟んで対称に2つの櫛歯型の第1主電極2および第2主電極12が対向し、真空パッケージ20に収納される。この第1主電極2と第2主電極12の電極材料は電子の放出率を揃えるために、同一で、Mo膜が用いられる。
請求項（抜粋）：
絶縁膜上に第1主電極と第2主電極とを離して形成し、該第1主電極と該第2主電極に挟まれて、前記第1主電極および前記第2主電極に近接して制御電極を前記絶縁膜上に形成し、前記第1主電極を低電位とし、前記第2主電極を高電位とし、前記制御電極を高電位としたとき、前記第1主電極から電子が放出され、該電子が前記第2主電極に達して、順方向電流を流し、前記第2主電極を低電位とし、前記第1主電極を高電位とし、前記制御電極を高電位としたとき、前記第2主電極から電子が放出され、該電子が前記第1主電極に達して、逆方向電流を流し、前記制御電極の電位を低下させると前記の電子の放出が停止し、電流が流れなくなることを特徴とする双方向スイッチング素子。
IPC (7件)：
H01J 19/24 ,  H01J 9/02 ,  H01J 9/40 ,  H01J 19/58 ,  H01J 21/10 ,  H01L 29/66 ,  H01L 31/10
FI (7件)：
H01J 19/24 ,  H01J 9/02 B ,  H01J 9/40 A ,  H01J 19/58 ,  H01J 21/10 ,  H01L 29/66 ,  H01L 31/10 A
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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