半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上柳雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-137218
公開番号（公開出願番号）：特開2001-319950
出願日： 2000年05月10日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】球状半導体を用いた半導体装置における確実な電気的接続を確保することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】球状半導体2に形成された端子21の周囲にソルダーレジスト層22を形成する第1の工程と、ソルダーレジスト層22により囲まれた端子21を介して球状半導体2と基板1とを半田付けする第2の工程と、を備え、第1の工程では、インクジェット方式により半田レジスト材料を端子21の周囲に塗布する。

請求項（抜粋）：

球状半導体材料の表面に半導体素子を形成した球状半導体を基板上に搭載した半導体装置の製造方法であって、前記球状半導体に形成された端子の周囲に半田レジストを形成する第1の工程と、前記半田レジストにより囲まれた前記端子を介して前記球状半導体と前記基板とを半田付けする第2の工程と、を備え、前記第1の工程では、インクジェット方式により前記半田レジスト材料を前記端子の周囲に塗布することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/60 , H01L 25/065 , H01L 25/07 , H01L 25/18

FI (3件)：

H01L 21/60 311 S , H01L 21/60 311 Q , H01L 25/08 B

Fターム (2件)：

5F044LL04 , 5F044RR03

引用特許：

審査官引用 (4件)

レジストパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-165171 出願人：国際電気株式会社
半導体装置の電極形成方法と実装体
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-300124 出願人：松下電器産業株式会社
半田バンプの形成方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-086530 出願人：株式会社野田スクリーン

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