特許
J-GLOBAL ID:200903096967108920

疎水性デンプン誘導体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 吉武 賢次 (外3名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-593642
公開番号(公開出願番号):特表2002-534566
出願日: 2000年01月13日
公開日(公表日): 2002年10月15日
要約:
【要約】本発明は、デンプンの乾燥物質ベースで少くとも95wt%のアミロペクチンを含有した根または塊茎デンプンまたはその誘導体の、4〜24の炭素原子のアルキル鎖を有する置換基での、エーテル化、エステル化またはアミド化からなる、疎水性デンプンの製造方法に関する。本発明はその方法により得られる疎水性デンプンにも関する。
請求項(抜粋):
デンプンの乾燥物質ベースで少くとも95wt%のアミロペクチンを含有した根または塊茎デンプンまたはその誘導体の、炭素原子4〜24のアルキル鎖を有している疎水性試薬でのエーテル化、エステル化またはアミド化からなる、疎水性デンプンの製造方法。
IPC (10件):
C08B 31/00 ,  A23L 1/0522 ,  A23L 1/22 ,  B01F 17/52 ,  C08B 31/02 ,  C08B 31/04 ,  C08B 31/08 ,  C08B 31/12 ,  C08B 35/02 ,  C08B 35/04
FI (10件):
C08B 31/00 ,  A23L 1/22 D ,  B01F 17/52 ,  C08B 31/02 ,  C08B 31/04 ,  C08B 31/08 ,  C08B 31/12 ,  C08B 35/02 ,  C08B 35/04 ,  A23L 1/195
Fターム (39件):
4B025LB25 ,  4B025LD03 ,  4B025LG28 ,  4B025LK02 ,  4B025LP18 ,  4B047LB09 ,  4B047LG27 ,  4B047LP16 ,  4C090AA05 ,  4C090BA14 ,  4C090BA18 ,  4C090BC10 ,  4C090BD04 ,  4C090BD06 ,  4C090BD36 ,  4C090CA35 ,  4C090CA36 ,  4C090CA38 ,  4C090DA27 ,  4C090DA28 ,  4C090DA31 ,  4D077AA02 ,  4D077AA03 ,  4D077AA05 ,  4D077AB05 ,  4D077AB06 ,  4D077AB08 ,  4D077AB20 ,  4D077AC01 ,  4D077DC02Z ,  4D077DC08Z ,  4D077DC26Z ,  4D077DC42Z ,  4D077DC73Z ,  4D077DD65Y ,  4D077DE02Y ,  4D077DE07Y ,  4D077DE09Y ,  4D077DE24Y
引用特許:
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (22件)
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引用文献:
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