発光サイリスタおよび発光素子アレイチップ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩佐義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-343394
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179368
出願日： 2002年11月27日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：

【課題】発光効率の低下を低減した発光サイリスタを提供する。【解決手段】p型基板1上に、p型半導体層24,n型半導体層23,p型半導体層22,n型半導体層21が積層され、PNPN構造を形成している。カソード層21はカソード島を構成している。このカソード層21は、活性層(22,23),アノード層24と同じメサ面で分離されており、その周辺部がエッチングされて、厚さの薄い部分130が形成されている。この部分130は、従来の構造では露出したゲート層部分を覆っている。カソード層の周辺部130は、膜厚が小さいのでシート抵抗値が大きくなる。したがって、カソード島周辺の活性層(22,23)に流れ込む電子を減らすことができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に、第1導電型の第1の半導体層,前記第1導電型とは逆導電型である第2導電型の第2の半導体層,第1導電型の第3の半導体層,第2導電型の第4の半導体層が順に積層された4層の半導体層とを備えるメサ型の発光サイリスタにおいて、前記最上層の第4の半導体層は、島を形成し、第4の半導体層の周辺部は、エッチングにより除去されて厚さが薄くなるように形成されていることを特徴とする発光サイリスタ。

IPC (2件)：

H01L33/00 , H01L29/74

FI (4件)：

H01L33/00 A , H01L33/00 J , H01L33/00 Z , H01L29/74 E

Fターム (19件)：

5F005AA03 , 5F005AB03 , 5F005AC02 , 5F005BA01 , 5F005BB02 , 5F005FA03 , 5F005GA01 , 5F005GA02 , 5F041AA08 , 5F041AA22 , 5F041AA24 , 5F041BB03 , 5F041BB22 , 5F041BB25 , 5F041CA07 , 5F041CA10 , 5F041CA12 , 5F041CB22 , 5F041FF13

引用特許：

出願人引用 (11件)

III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-222882 出願人：豊田合成株式会社
特開昭63-196084
特開平2-189975

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