特許

J-GLOBAL ID：200903097010072130

窒化物系III-V族化合物半導体基板およびその製造方法ならびに半導体発光素子の製造方法ならびに半導体装置の製造方法

発明者： 鈴木 康彦 ,  浅野 竹春 ,  竹谷 元伸 ,  後藤 修 ,  池田 真朗 ,  渋谷 勝義
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-257606
公開番号（公開出願番号）：特開2003-063897
出願日： 2001年08月28日
公開日（公表日）： 2003年03月05日
要約：

【要約】【課題】 窒化物系III-V族化合物半導体層をこれと異なる物質からなる基板上に形成する場合に、基板の反り量を70μm以下に抑える。【解決手段】 サファイア基板などの基板上にGaNなどの窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させる場合に、窒化物系III-V族化合物半導体層の厚さyに対して基板の厚さxを、0<y/x≦0.011かつx≧450μmを満たすように選ぶ。あるいは、基板の最大寸法をD(cm)、反り量を0<H≦70×10<SP>-4</SP>(cm)、Z=y/xとしたとき、0<D<(2/CZ)cos<SP></SP><SP>-1</SP>(1-HCZ)の関係を満たすようにDを選ぶ。ただし、C(cm<SP>-1</SP>)は基板の曲率半径をρ(cm)として1/ρ=CZと表したときの比例定数。

請求項（抜粋）：

窒化物系III-V族化合物半導体層がこの窒化物系III-V族化合物半導体層と異なる物質からなる基板上に形成された窒化物系III-V族化合物半導体基板において、上記基板の厚さをx(μm)、上記窒化物系III-V族化合物半導体層の厚さをy(μm)としたとき、0<y/x≦0.011かつx≧450μmの関係を満たすことを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体基板。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (3件)：

C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610

Fターム (27件)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077TB05 ,  4G077TK01 ,  5F041AA40 ,  5F041AA41 ,  5F041AA44 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041FF16 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA21 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 結晶成長用基板及びそれを用いた発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-299183   出願人：京セラ株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体チップ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-279386   出願人：日亜化学工業株式会社