特許

J-GLOBAL ID：200903097013503914

窒化物半導体素子

発明者： 齋藤 渉 ,  小野村 正明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-242534
公開番号（公開出願番号）：特開2007-059589
出願日： 2005年08月24日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：

【課題】 高アバランシェ耐量と低オン抵抗性とを有する窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】 窒化物半導体からなる第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に設けられ前記第1の半導体層よりもバンドギャップが大なるノンドープまたはn型の窒化物半導体からなる第2の半導体層と、を有する積層体と、前記積層体の主面上の第1の領域に直接もしくは絶縁膜を介して設けられた制御電極と、前記積層体の主面上の前記第1の領域の両端に隣接する第2及び第3の領域にそれぞれ設けられた第1及び第2の主電極と、前記積層体の主面上において前記第2の主電極を挟んで前記制御電極とは反対側に設けられた第3の主電極と、を備えたことを特徴とする窒化物半導体素子を提供する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

窒化物半導体からなる第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に設けられ前記第1の半導体層よりもバンドギャップが大なるノンドープまたはn型の窒化物半導体からなる第2の半導体層と、を有する積層体と、 前記積層体の主面上の第1の領域に直接もしくは絶縁膜を介して設けられた制御電極と、 前記積層体の主面上の前記第1の領域の両端に隣接する第2及び第3の領域にそれぞれ設けられた第1及び第2の主電極と、 前記積層体の主面上において前記第2の主電極を挟んで前記制御電極とは反対側に設けられた第3の主電極と、 を備えたことを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (7件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/095 ,  H01L 29/06

FI (7件)：

H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/80 F ,  H01L29/80 E ,  H01L29/06 301F

Fターム (39件)：

5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR11 ,  5F102GR12 ,  5F102GR13 ,  5F102GS09 ,  5F102GT10 ,  5F102GV05 ,  5F110AA07 ,  5F110AA11 ,  5F110BB12 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD22 ,  5F110GG04 ,  5F140AA23 ,  5F140AA25 ,  5F140AA30 ,  5F140AC09 ,  5F140AC36 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BB18 ,  5F140BH43 ,  5F140CD00

引用特許：

出願人引用 (1件)

• GaN電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-347307   出願人：日本電信電話株式会社

審査官引用 (4件)

• 特開平3-171636
  
• 高電子移動度トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-094574   出願人：株式会社東芝
• 電力用半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-327654   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-067088   出願人：株式会社東芝