特許

J-GLOBAL ID：200903097032295079

半導体装置及びその製造方法

発明者： 塩谷 喜美 ,  大平 浩一 ,  前田 和夫 ,  鈴木 智美 ,  猪鹿倉 博志 ,  山本 陽一
出願人/特許権者： キヤノン販売株式会社 ,  株式会社半導体プロセス研究所
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-000873
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093805
出願日： 2001年01月05日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】 銅配線間に低誘電率を有する多層の絶縁膜からなる層間絶縁膜を形成したときに、層間絶縁膜が低誘電率を維持しつつ、層間絶縁膜を挟む銅配線間のリーク電流を小さくする。【解決手段】 表面に銅配線23が露出した基板21上に低誘電率を有する層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法において、層間絶縁膜は多層の絶縁膜24、25、29から構成されてなり、多層の絶縁膜24、25、29のうち銅配線23と接する絶縁膜24を、シロキサン結合を有するアルキル化合物と、窒素(N2)又はアンモニア(NH3)のうち何れか一とからなる成膜ガスをプラズマ化し、反応させて成膜する。

請求項（抜粋）：

表面に銅配線が露出した基板上に絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法において、前記絶縁膜を、シロキサン結合を有するアルキル化合物と、窒素(N2)又はアンモニア(NH3)のうち何れか一とからなる成膜ガスをプラズマ化し、反応させて成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 M ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/90 M

Fターム (62件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA27 ,  4K030BA29 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030FA03 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033KK32 ,  5F033MM13 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR29 ,  5F033SS01 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15 ,  5F033TT01 ,  5F033WW00 ,  5F033XX28 ,  5F045AA08 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD07 ,  5F045AE21 ,  5F045BB16 ,  5F045CB05 ,  5F045DC63 ,  5F045DP03 ,  5F045EH14 ,  5F045EH20 ,  5F058BA20 ,  5F058BD02 ,  5F058BD10 ,  5F058BD13 ,  5F058BD16 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF26 ,  5F058BF27 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BG01 ,  5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 層間絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-109101   出願人：ソニー株式会社
• 層間絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-197596   出願人：松下電器産業株式会社