層間絶縁膜の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-109101
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326200
出願日： 1993年05月11日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】有機シリコン系化合物と酸化剤との反応により成膜した層間絶縁膜の膜質を向上させる方法を提供する。【構成】段差を有する基体上に、TEOS/H2O/NH3系のガスを用いて、プラズマCVD法にて第2層間絶縁膜4を形成する。その後、NH3ガスを用いてプラズマ処理を施し、第2層間絶縁膜4中の脱水縮合を促進させる。これにより、膜中の炭素原子は膜外に除去され、層間絶縁膜の膜質が向上する。

請求項（抜粋）：

有機シリコン系化合物と酸化剤との反応により、基体上へ層間絶縁膜を成膜する層間絶縁膜の形成方法において、前記層間絶縁膜の成膜後に、該層間絶縁膜表面にプラズマ処理を行うことを特徴とする層間絶縁膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/90 , C23C 16/50 , H01L 21/316

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平3-041731
特開平1-239940
半導体装置の製造方法及び製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-068857 出願人：川崎製鉄株式会社

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