特許
J-GLOBAL ID：200903063436850627

層間絶縁膜の形成方法

発明者：
青井 信雄

青井 信雄 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-197596
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102378
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：
【要約】【課題】 比誘電率が低くて且つ脱ガス現象が発生し難い絶縁膜を特殊な熱処理工程を行なうことなく形成できるようにする。【解決手段】 圧力が930Paに保たれている反応室内に、原材料としてのヘキサメチルジシロキサンを2000ml/minの流量で液体マスフローを介して導入し、希釈ガスとしての窒素ガスを標準状態で5000ml/minの流量で導入し、酸化剤としての一酸化窒素ガスを標準状態で400ml/minの流量で導入しながら、原材料にプラズマ重合反応を起こさせることにより、反応室内において400°Cの温度に保持されているシリコン基板の上に有機無機ハイブリッド膜からなる層間絶縁膜を形成する。
請求項（抜粋）：
有機シリコン化合物を含む原材料を、希釈ガスとしての窒素ガスが含まれる雰囲気中における低い真空度の下でプラズマ重合させて有機無機ハイブリッド膜からなる層間絶縁膜を形成することを特徴とする層間絶縁膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/768
FI (4件)：
H01L 21/316 X ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/90 P ,  H01L 21/90 J
引用特許：
審査官引用 (3件)

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