特許
J-GLOBAL ID：200903097041595212
半導体装置および半導体封止用樹脂組成物
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
伴 俊光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-031468
公開番号（公開出願番号）：特開平11-289034
出願日： 1999年02月09日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：
【要約】【課題】信頼性の高い、チップサイズの半導体装置を低コストで提供する。また、ウェハー状態で半導体素子を一括封止して半導体装置を製造する方法において、ウェハー上に良好な膜が形成でき、ウェハーの反りが小さく、かつ信頼性が高い半導体封止用樹脂組成物を提供する。【解決手段】半導体素子の一方の表面上に樹脂組成物の膜が形成されてなる半導体装置であって、該樹脂組成物のガラス転移温度以下の線膨脹係数が60×10-6/K以下、かつガラス転移温度以上の線膨脹係数が140×10-6/K以下であることを特徴とする半導体装置、および半導体素子の一方の表面上に樹脂組成物の膜が形成されてなる半導体装置を封止するための樹脂組成物であって、樹脂組成物のガラス転移温度以下の線膨脹係数が60×10-6/K以下、かつガラス転移温度以上の線膨脹係数が140×10-6/K以下であることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。
請求項（抜粋）：
半導体素子の一方の表面上に樹脂組成物の膜が形成されてなる半導体装置であって、該樹脂組成物のガラス転移温度以下の線膨脹係数が60×10-6/K以下、かつガラス転移温度以上の線膨脹係数が140×10-6/K以下であることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/29
, H01L 23/31
, C08L 63/00
, C08K 3/22
H01L 23/30 R
, C08L 63/00 C
, C08K 3/22
