特許
J-GLOBAL ID：200903097064866450
静電容量型圧力検出素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
木下 實三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-165340
公開番号（公開出願番号）：特開2000-356563
出願日： 1999年06月11日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：
【要約】【課題】 差圧感度を確保しつつ、応答性の確保を達成できる静電容量型圧力検出素子を提供する。【解決手段】 シリコン製のダイアフラム11と、このダイアフラムを挟んで接合された2枚の絶縁部材21,31とを有する。絶縁部材21,31にはダイアフラムとの対向面に電極22,32が形成され、さらに、ダイアフラムと電極を含む絶縁部材とにより形成された空隙41,42に連通する圧力導入口23A〜3C,33A〜33Cが、ダイアフラムを挟んで対称の位置関係で、それぞれの絶縁部材21,31に複数個設けられている。
請求項（抜粋）：
中央部分が圧力に応じて変位する感応部に形成され、その感応部に電極部を有するダイアフラムと、このダイアフラムを挟んでそのダイアフラムの周縁部両面に接合された2枚の基板とを有し、この2枚の基板にはダイアフラムとの対向面に静電容量を生じさせるための電極が形成され、かつ、基板を貫通して前記ダイアフラムと電極を含む基板とにより形成された空隙に連通する圧力導入口を有する静電容量型圧力検出素子において、前記圧力導入口が、前記ダイアフラムを挟んで対称の位置関係で前記各基板に複数個設けられていることを特徴とする静電容量型圧力検出素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (10件)：
2F055AA39
, 2F055BB06
, 2F055CC02
, 2F055DD05
, 2F055EE25
, 2F055FF17
, 2F055GG01
, 2F055GG12
, 2F055GG25
, 2F055HH05
