特許

J-GLOBAL ID：200903097087261823

実質的にアンダカットのないシリコンを絶縁体構造上に作製するエッチング工程

発明者： ドノフェ ジョン エフ. ,  ジョンソン デイビッド ジェイ. ,  デブレ マイケル ダブリュー.
出願人/特許権者： ユナキス ユーエスエー インク.
代理人 (1件)： 清水 初志 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-553985
公開番号（公開出願番号）：特表2002-518825
出願日： 1999年06月08日
公開日（公表日）： 2002年06月25日
要約：

【要約】垂直方向に一様なエッチングを行うように様々なサイズの凹部内のイオン充電を制限するためにイオン密度が低減される反応性イオン・エッチング工程を仕上げエッチング段階として使用することによってアンダカットが実質的になくなる、シリコン・オン・インシュレータ基板に異方性プラズマ・エッチングを施す方法を開示する。

請求項（抜粋）：

反応性イオン・エッチングによってシリコン基板をエッチングする段階を含む、シリコン基板のエッチングの間にシリコン・絶縁体界面でのアンダカットを防止する方法であって、イオン密度が低減され、それによって、エッチング中に形成される側壁の垂直エッチングが行われる方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/762 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/12

FI (4件)：

H01L 27/12 F ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/76 D ,  H01L 21/76 L

Fターム (24件)：

5F004AA05 ,  5F004BA09 ,  5F004BB21 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004CA06 ,  5F004CA09 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DB01 ,  5F004DB23 ,  5F004EA13 ,  5F004EA28 ,  5F004EB04 ,  5F032AA03 ,  5F032AC02 ,  5F032BA01 ,  5F032CA07 ,  5F032DA25

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ドライエッチング方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-302014   出願人：ヤマハ株式会社
• プラズマエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-175090   出願人：株式会社日立製作所
• 特表平7-503815
  
• 特表平7-503815