基板処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉谷勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-275497
公開番号（公開出願番号）：特開2005-244162
出願日： 2004年09月22日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：

【課題】気体の供給を工夫することにより、複数の基板に均一に処理を施すことができる基板処理装置を提供する。【解決手段】バブラ3及びチューブバブラ31に気体を供給して処理槽1内に気泡を発生させる。複数枚の基板Wに対しては処理液による処理が施されるとともに、バブラ3からの気泡による相乗効果によって所定の処理が行われる。その際には、チューブバブラ31の第1辺33と第2辺35の両部から勢いよく気泡が発生されているので、これらの相乗効果もあってバブラ3からの気泡が渦を発生するのを効率的に防止でき、バブラ3からの気泡を上方へと向かわせることができる。したがって、バブラ3からの気泡が全ての基板Wに対してより均等に触れることになり、両端に位置する基板Wであっても処理ムラが生じることを防止して、全ての基板Wに対してより均等に処理を行うことができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板に処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽内において一方向に整列された複数の基板を保持する保持部と、基板の整列方向に沿って設けられ、前記処理槽内の処理液に気体を発生し、複数の基板に気体を供給する複数のバブラと、前記基板の整列方向の両端部にあたる前記バブラと前記処理槽との二箇所の間のうちいずれか一方に設けられ、前記処理槽内の処理液に気体を供給する気体供給部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。

IPC (7件)：

H01L21/304 , B08B3/10 , B65G49/04 , G02F1/13 , G02F1/1333 , H01L21/306 , H01L21/68

FI (7件)：

H01L21/304 642Z , B08B3/10 Z , B65G49/04 D , G02F1/13 101 , G02F1/1333 500 , H01L21/68 N , H01L21/306 J

Fターム (22件)：

2H088FA17 , 2H088FA21 , 2H088FA28 , 2H088FA30 , 2H090HC18 , 2H090JB02 , 2H090JC19 , 3B201AA02 , 3B201AA03 , 3B201AB42 , 3B201BB02 , 3B201BB87 , 3B201BB92 , 5F031CA02 , 5F031CA05 , 5F031HA42 , 5F031HA73 , 5F031MA23 , 5F031MA24 , 5F043EE02 , 5F043EE06 , 5F043GG10

引用特許：

出願人引用 (1件)

特公平8-2419号公報(第1図及び第2図)

審査官引用 (4件)

エッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-245402 出願人：信越半導体株式会社
エッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-086996 出願人：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
洗浄装置およびその方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-019823 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社

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