特許
J-GLOBAL ID：200903097177465533
CSPにおける抵抗素子およびCSPを備えた半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
磯村 雅俊 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-084243
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282788
出願日： 2002年03月25日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：
【要約】【課題】 実装後外付け部品として別に抵抗部品を必要とせず、また、抵抗をチップに内蔵しても、接合容量や配線容量によるアナログ特性の劣化や長期バイアス印加による抵抗値の経年変化、パターン面積の制約による抵抗値の制約等がすくなく、小型化が可能で、所望の抵抗値を形成できる技術を提供すること。【解決手段】 ウエハレベルCSPを製造する工程で、バリアメタル15を用いて抵抗素子(バリアメタル抵抗部R1)を形成する。また、バリアメタル15の素材を選択することにより、またバリアメタル層の材質,幅,長さ,あるいは厚さ少なくとも一つを変えることによって所望の値(例えば1Ωから10kΩ)の抵抗素子を形成する。図中、10はICチップ、11はボンディングバッド、12は保護膜、14は銅再配線、16は銅ポスト、17はハンダボール、18はパッシベーション、R1はバリアメタル抵抗部である。
請求項（抜粋）：
半導体チップ上に再配線層が形成されたCSPにおける抵抗素子であって、前記半導体チップのパッシベーション膜,その上部に形成された保護膜,その上部に形成されたバリアメタル層,該バリアメタル層の上部に少なくとも一部が欠落した再配線層を有し、該再配線層が欠落した部分の前記バリアメタル層を抵抗部としたことを特徴とする抵抗素子。
IPC (4件)：
H01L 23/12 501
, H01L 21/3205
, H01L 21/822
, H01L 27/04
H01L 23/12 501 C
, H01L 21/88 T
, H01L 27/04 P
5F033HH11
, 5F033MM13
, 5F033VV07
, 5F033VV09
, 5F038AR19
, 5F038AR22
, 5F038AR30
, 5F038BE07
, 5F038BE08
, 5F038EZ20
