半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-191680
公開番号（公開出願番号）：特開平10-084084
出願日： 1997年07月16日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：

【要約】【課題】バリアメタルを有する金属配線のパターン形成後に該金属配線の一部を除去しバリアメタルを露呈させることで高精度の抵抗素子を得て、且つ配線の高信頼性も確保する。【解決手段】半導体中への拡散を防止するバリアメタルおよびAl合金をスパッタ法を用いて成膜する工程、Al合金をフォト、エッチング法して金属配線を形成する工程、抵抗素子予定部をフォトリソグラフィー法を用いてパターン形成する工程、エッチング法を用いて金属配線の一部に対し、Al合金を除去し半導体中への拡散を防止する為のバリアメタルを露呈させる工程を経て抵抗素子を形成する。【効果】バリアメタルを有する金属配線のパターン形成後に該金属配線の一部を除去しバリアメタルを露呈させることにより、高精度のシート抵抗が得られ、同時に配線の高信頼性を確保できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上方に設置され、下部全面にバリアメタル層が設置されている金属配線と、前記金属配線下部の前記バリアメタル層と同一の層からなる抵抗素子と、を有する半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 27/04 P , H01L 21/28 301 T , H01L 21/88 R

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-306970 出願人：日本電気株式会社
特開昭63-144557
特開昭60-120550

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