特許
J-GLOBAL ID:200903097269774923

電極の製造方法およびこの電極を備えるプラズマ処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 森 道雄 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-199097
公開番号(公開出願番号):特開平10-050663
出願日: 1996年07月29日
公開日(公表日): 1998年02月20日
要約:
【要約】【課題】プラズマに晒されたときにパーティクルの発生が少ないアルマイト皮膜を有する電極の製造方法およびパーティクル数が少なく半導体素子の製造歩留まりを向上させることができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】アルミニウム電極母材11aの表面にアルマイト皮膜11bを形成した(図1(b))後、そのアルマイト皮膜の脆弱層11cを除去する(図1(d))電極の製造方法。この電極の製造方法により製造された電極を備えるプラズマ処理装置。
請求項(抜粋):
電極母材であるアルミニウムの表面にアルマイト皮膜を形成し、そのアルマイト皮膜の脆弱層を除去することを特徴とする電極の製造方法。
IPC (7件):
H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  C25D 11/18 313 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/34 ,  H01L 21/205
FI (7件):
H01L 21/302 B ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  C25D 11/18 313 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/34 ,  H01L 21/205
引用特許:
審査官引用 (2件)

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