ドライエッチング方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-348467
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193055
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】本発明は、シリコンの自然酸化膜の除去が必要である被処理体のエッチングにおいて、被処理体に損傷を与えることなく、効率良くしかも低コストで被処理体をドライエッチングできる方法を提供することを目的とする。【構成】シリコン酸化膜が表面に形成された被処理体を反応容器内に設置し、インターハロゲンガスおよび酸素とハロゲンの化合物からなるガスのうち少なくとも1つのガス、並びに少なくとも水素原子を有する化合物を含むガスを前記反応容器内に導入し、かつ、前記被処理体を冷却することにより前記シリコン酸化膜をエッチングすることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

シリコン酸化膜が表面に形成された被処理体を反応容器内に設置し、インターハロゲンガスおよび酸素とハロゲンの化合物からなるガスのうち少なくとも1つのガス、並びに少なくとも水素原子を有する化合物を含むガスを前記反応容器内に導入し、かつ、前記被処理体を冷却することにより前記シリコン酸化膜をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , C30B 33/08 , C23F 4/00

FI (2件)：

H01L 21/302 F , H01L 21/302 N

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-280536
半導体基板表面の処理方法および処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-307834 出願人：川崎製鉄株式会社
特開平3-252130

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