半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-289155
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116920
出願日： 1996年10月11日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：

【要約】【課題】高効率の電荷回収を図り得るCMOS出力バッファ回路の提供。【解決手段】VDD電源とは別に電荷回収用の電源VDD1を用意し、99%以上の効率で電荷回収可能な電荷回収用ダイオードD5を、アノードを出力端子4側にカソードをVDD1端子3′側に接続して構成される。

請求項（抜粋）：

高位側電源とは別に、電荷回収用電源を用意し、前記電荷回収用電源端子と出力端子間において、アノードを前記出力端子側に接続し、カソードを前記電荷回収用電源端子側に接続してなる、電荷回収用ダイオードを備えたことを特徴とするCMOS出力バッファ回路。

IPC (6件)：

H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 29/78 , H02H 7/20 , H02H 9/04 , H03K 19/0175

FI (6件)：

H01L 27/08 321 H , H02H 7/20 F , H02H 9/04 A , H02H 9/04 B , H01L 29/78 , H03K 19/00 101 F

引用特許：

審査官引用 (5件)

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