真空マニホルド隔離を備えた処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：社本一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-235639
公開番号（公開出願番号）：特開2000-117091
出願日： 1999年08月23日
公開日（公表日）： 2000年04月25日
要約：

【要約】【課題】新規な真空処理装置を提供する。【解決手段】付加的な隔離弁(24)が真空処理装置(10)内に組み込まれて、装置の機械的なポンプ(28)の寿命を増大させ、メンテナンスコスト及び中断時間を減少させ、粒子の逆流を阻止し、メンテナンスを行う者への危険性を減少させる。装置は少なくとも1つのポート(14)を備えた処理室(12)と、ポートに接続された予備ライン弁(16)と、予備ライン弁に流体連通する真空マニホルド(26)とを有する。機械的なポンプ(28)が真空マニホルドに接続され、処理室の内容物を真空排気する。隔離弁は予備ライン弁と真空マニホルドとの間で接続され、予備ライン弁と一体的に又は主として一体的に作動する。

請求項（抜粋）：

処理装置において、少なくとも1つのポートを備えた処理室と;上記少なくとも1つのポートに接続された予備ライン弁と;上記予備ライン弁に流体連通する真空マニホルドと;上記真空マニホルドに接続されたポンプと;上記予備ライン弁と上記真空マニホルドとの間に接続された隔離弁と;を有することを特徴とする処理装置。

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体製造装置用排気装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-075495 出願人：松下電器産業株式会社
特開平4-150902
機器接続配管
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-275803 出願人：ソニー株式会社

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