特許
J-GLOBAL ID：200903097341453282

半導体表面を粗エッチングする方法

発明者：
ハンス・ユルゲン・クルヴイヌス

ハンス・ユルゲン・クルヴイヌス について

, 
フレデリツク・コヴアツクス

フレデリツク・コヴアツクス について


出願人/特許権者：
エスエーツエツト・セミコンダクター-イクイプメント・ツーベヘール・フユール・デイー・ハルブライテルフエルテイグング・アクチエンゲゼルシヤフト

エスエーツエツト・セミコンダクター-イクイプメント・ツーベヘール・フユール・デイー・ハルブライテルフエルテイグング・アクチエンゲゼルシヤフト について


代理人 (1件)： 中平 治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-068781
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312664
出願日： 1999年02月09日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：
【要約】【課題】 従来の技術の欠点を解消した、半導体の表面を粗面化することができる方法を提供する。【解決手段】 本発明は、種々の方法ステップにおいて表面を湿式処理する半導体表面を粗エッチングする方法に関する。
請求項（抜粋）：
1.1、半導体表面を液体によって湿らせ、1.2、続いて湿らされた半導体表面上にエッチング液を塗り、1.3、その後、粗くエッチングされた半導体表面をエッチングしない流体によってすすぎ、かつ/又は乾燥し、その際、すべての方法ステップの間に半導体を回転させることを特徴とする、半導体表面を粗エッチングする方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/304 651
FI (2件)：
H01L 21/306 B ,  H01L 21/304 651 A
引用特許：
審査官引用 (4件)
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