特許

J-GLOBAL ID：200903098618281499

半導体基板のウエットエッチング方法

発明者： 岩下 雅文
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-328610
公開番号（公開出願番号）：特開平9-171989
出願日： 1995年12月18日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：

【要約】【課題】 基板表面の被処理物に処理液を噴霧して行なうウエットエッチング方法において、エッチングむらをなくし、かつクロスコンタミによる汚染をなくして半導体装置の品質向上を図る。【解決手段】 シリコン酸化膜を20nmの厚さに被着した半導体基板8を回転台7に固定し、回転台7を回転させながら、オゾン水3を噴霧して、半導体基板8上の有機物を洗浄する。引き続いてエッチング液2とオゾン水3との混合液を噴霧ノズル6から噴霧して、半導体基板8上のシリコン酸化膜をエッチングする。エッチング後、超純水1のマニホールドバルブ5を開いて噴霧ノズル6から超純水1を噴霧し、半導体基板8をリンスする。リンス後、回転台7を高速で回転させて半導体基板8を乾燥させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板を回転させながら、前記半導体基板の表面上の被処理物に処理液を噴霧して行うウエットエッチング方法であって、前記被処理物のエッチングに先立ってオゾン水を噴霧して前記半導体基板の表面を洗浄することを特徴とする半導体基板のウエットエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/304 341

FI (2件)：

H01L 21/306 R ,  H01L 21/304 341 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ウエハ洗浄装置及び洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-197442   出願人：大見忠弘
• 特開平4-103124
  
• 基板処理方法および処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-316638   出願人：クロリンエンジニアズ株式会社
• 特開平4-103124