特許
J-GLOBAL ID:200903097342223531
アクティブマトリクス基板及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
宮本 恵司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-177403
公開番号(公開出願番号):特開2006-350059
出願日: 2005年06月17日
公開日(公表日): 2006年12月28日
要約:
【課題】画素電極や共通電極の段差に起因する配向性の悪化を改善し、黒表示状態における光漏れを抑制して高コントラストで均一性の高い表示を得ることができるアクティブマトリクス基板及びその製造方法の提供。【解決手段】下層側から、複数の走査信号配線及び複数の共通電極配線と、第1の絶縁膜103と、複数の映像信号配線及び各画素に配設される画素電極106と、第2の絶縁膜107と、映像信号配線と重なる領域に配設される第3の絶縁膜と、各画素に配設される共通電極110とを少なくとも備えるアクティブマトリクス基板において、第2の絶縁膜107を、塗布時に流動性を有し、画素電極106による段差を緩和する機能を有する感光性アクリル樹脂などを用いて形成し、また、第2の絶縁膜107の膜厚や画素電極106近傍の傾斜角度、画素電極106の膜厚、共通電極110の膜厚を規定する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板側から、複数の走査信号配線及び該走査信号配線に略並行する複数の共通信号配線と、第1の絶縁膜と、薄膜トランジスタとなる半導体層と、前記走査信号配線に略直交し、前記薄膜トランジスタのドレインに接続される複数の映像信号配線及び前記走査信号配線と前記映像信号配線とで囲まれる画素領域に配設され、前記薄膜トランジスタのソースに接続される画素電極と、第2の絶縁膜と、前記映像信号配線と重なる領域に配設される第3の絶縁膜と、前記画素領域及び前記第3の絶縁膜上に配設され、前記共通信号配線に接続される共通電極と、を少なくとも備え、前記画素電極と前記共通電極との間に印加する電圧により、対向基板との間に挟持された液晶を前記基板に略平行な面内で回転させる横電界方式の液晶表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板において、
前記第2の絶縁膜は、流動性を有する材料を塗布することにより形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (13件):
2H092GA14
, 2H092JA24
, 2H092JA28
, 2H092JA34
, 2H092JA37
, 2H092JA41
, 2H092JB52
, 2H092JB56
, 2H092KB22
, 2H092KB25
, 2H092MA10
, 2H092NA01
, 2H092NA25
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (4件)