特許
J-GLOBAL ID：200903088341962404

横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法

発明者：
西田 真一

西田 真一 について

, 
板倉 州優

板倉 州優 について

, 
松本 公一

松本 公一 について


出願人/特許権者：
NEC液晶テクノロジー株式会社

NEC液晶テクノロジー株式会社 について


代理人 (1件)： 天野 広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-096040
公開番号（公開出願番号）：特開2004-062145
出願日： 2003年03月31日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：
【課題】横電界方式の液晶表示装置において、薄膜トランジスタ特性の変化に起因する表示不良及び画素電極と共通電極との間のショートに起因する表示不良を防止し、さらに、開口率を大きくする。【解決手段】液晶表示装置10において、走査線20及び共通電極配線21を同層に、かつ、相互に平行に形成する。データ線24及び走査線20は層間絶縁膜26を介して共通電極27に覆われており、共通電極配線21は走査線20の片側に一本のみ形成されている。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
能動素子基板と、対向基板と、前記能動素子基板と前記対向基板との間に挟まれた状態で保持されている液晶層、とからなる液晶表示装置であって、 前記能動素子基板は、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極を有する薄膜トランジスタと、表示すべき画素に対応した画素電極と、基準電位が与えられる共通電極と、データ線と、走査線と、共通電極配線とを備え、 前記ゲート電極は前記走査線に、前記ドレイン電極は前記データ線に、前記ソース電極は前記画素電極に、前記共通電極は前記共通電極配線に、それぞれ電気的に接続されており、 前記画素電極と前記共通電極との間に印加される、前記能動素子基板の表面に略平行な電界により、前記液晶層の分子軸を前記能動素子基板に平行な面内において回転させることにより表示を行う横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、 前記走査線及び前記共通電極配線は同層に、かつ、相互に平行に形成されており、 前記データ線及び前記走査線は層間絶縁膜を介して前記共通電極に覆われており、 前記共通電極配線は前記走査線の片側に一本のみ形成されており、 前記共通電極は、前記層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して、前記共通電極配線と電気的に接続されており、 前記共通電極は前記走査線と前記共通電極配線との間のギャップをシールドするように形成されていることを特徴とする横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
IPC (2件)：
G02F1/1343 ,  G02F1/1362
FI (2件)：
G02F1/1343 ,  G02F1/1362
Fターム (17件)：
2H092JA24 ,  2H092JA46 ,  2H092JB11 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092JB54 ,  2H092JB58 ,  2H092JB68 ,  2H092KB25 ,  2H092MA13 ,  2H092NA01 ,  2H092NA07 ,  2H092NA17 ,  2H092NA28 ,  2H092PA08 ,  2H092PA09 ,  2H092QA06
引用特許：
出願人引用 (10件)
全件表示
審査官引用 (10件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM