特許
J-GLOBAL ID：200903097356555090
シリコン酸化物ナノ構造体の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 徳廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-363162
公開番号（公開出願番号）：特開2003-266400
出願日： 2002年03月15日
公開日（公表日）： 2003年09月24日
要約：
【要約】【課題】 発光デバイス、光デバイス、マイクロデバイスなどの機能材料として、利用可能な細孔を有するシリコン酸化物ナノ構造体の製造方法を提供する。【解決手段】 (a)アルミニウムとシリコンを用意する工程、(b)該アルミニウムとシリコンを非平衡状態で物質を形成する成膜法を用いて、アルミニウムを含む柱状構造体と該柱状構造体を取り囲むシリコン領域とを有し、アルミニウムとシリコンの全量に対してシリコンを20〜70atomic%の割合で含有するアルミニウムシリコン混合膜を形成する工程及び(c)該アルミニウムシリコン混合膜を陽極酸化して細孔を形成する工程を有するシリコン酸化物ナノ構造体の製造方法。
請求項（抜粋）：
アルミニウムを含む柱状構造体と該柱状構造体を取り囲むシリコン領域とを有し、アルミニウムとシリコンの全量に対してシリコンを20〜70atomic%の割合で含有するアルミニウムシリコン混合膜を用意する工程、及び該アルミニウムシリコン混合膜を陽極酸化する工程を有するシリコン酸化物構造体の製造方法。
IPC (3件)：
B82B 3/00 ZNM
, C23C 14/06
, C23C 14/34
B82B 3/00 ZNM
, C23C 14/06 L
, C23C 14/34 N
4K029BA46
, 4K029BA64
, 4K029BB00
, 4K029CA05
