特許
J-GLOBAL ID:200903097366915175
回路パターン検査装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
ポレール特許業務法人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-238865
公開番号(公開出願番号):特開2007-003539
出願日: 2006年09月04日
公開日(公表日): 2007年01月11日
要約:
【課題】半導体装置の製造過程にあるウェハ上の半導体装置の同一設計パターンの欠陥,異物,残渣等を電子線により検査する回路パターン検査装置において、条件設定の効率、検査時間の短縮及び検査の信頼性を向上する。【解決手段】欠陥の存在を検出する為の大電流高速画像形成用の検出信号処理回路と、この欠陥検出検査により検出された特定の狭い部位の画像形成用の検出信号処理回路とを独立に設ける。または、欠陥検出検査の為の第1の電子光学系と欠陥検出検査により検出された特定の狭い部位を観察するレビュー専用の第2の電子光学系とを同一の真空容器内に並べて収容する。または欠陥検出検査の為の第1の検出器とこの欠陥検出検査により検出された特定の狭い部位を観察するレビュー専用の第2の検出器とを設ける。【選択図】図1
請求項(抜粋):
電子源から放出された電子ビームを、レンズにより収束し,かつ試料上に照射して走査する電子光学系と、
該試料を載せ,該試料上の所望の位置に電子ビームが照射されるように移動可能なステージと、
前記試料の照射された箇所より得られる後方散乱電子または二次電子を第1の感度で検出する第1の検出器と、
前記試料の照射された箇所より得られる後方散乱電子または二次電子を前記第1の感度より高い第2の感度で検出する第2の検出器と、
該検出器からの検出信号を基に前記試料の画像を形成する画像形成装置と、
該画像形成装置で得られた画像信号を、前記試料上の他の場所から同様にして得られた画像信号と比較し、両画像信号間の差を検出する手段と、
前記電子ビームを前記試料上を第1の面積,第1の電流値,第1の速度で走査する場合は前記後方散乱電子または二次電子を前記第1の検出器に導き、前記電子ビームを前記試料上を前記第1の面積より小さい面積,前記第1の電流値より小さい電流値,前記第1の速度より遅い速度で走査する場合は前記後方散乱電子または二次電子を前記第2の検出器に導く偏向回路とを備えた回路パターン検査装置。
IPC (4件):
G01B 15/04
, G01N 23/225
, H01L 21/66
, H01J 37/244
FI (4件):
G01B15/04 K
, G01N23/225
, H01L21/66 J
, H01J37/244
Fターム (51件):
2F067AA13
, 2F067AA15
, 2F067AA45
, 2F067AA54
, 2F067BB04
, 2F067CC17
, 2F067HH06
, 2F067HH15
, 2F067JJ03
, 2F067JJ05
, 2F067KK04
, 2F067KK08
, 2F067PP12
, 2F067QQ02
, 2F067QQ03
, 2F067QQ08
, 2F067RR07
, 2F067RR12
, 2F067RR24
, 2F067SS02
, 2F067SS13
, 2F067UU03
, 2G001AA03
, 2G001BA07
, 2G001BA15
, 2G001CA03
, 2G001DA02
, 2G001FA03
, 2G001FA07
, 2G001GA06
, 2G001HA07
, 2G001HA13
, 2G001JA02
, 2G001JA06
, 2G001JA13
, 2G001JA15
, 2G001KA03
, 2G001LA11
, 2G001MA05
, 4M106AA01
, 4M106BA02
, 4M106CA39
, 4M106DB05
, 4M106DJ04
, 4M106DJ14
, 4M106DJ17
, 4M106DJ18
, 4M106DJ20
, 4M106DJ21
, 5C033NN01
, 5C033NN02
引用特許:
出願人引用 (11件)
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特開昭59-192943号公報
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電子ビーム検査方法とそのシステム
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-124951
出願人:日本ケー・エル・エー株式会社
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電子ビーム検査装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-210995
出願人:株式会社日立製作所
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