特許

J-GLOBAL ID：200903097372130864

半導体装置

発明者： 鉾 本 吉 孝
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康 ,  高橋 佳大
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-024284
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006647
出願日： 2003年01月31日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】電界効果トランジスタの順バイアス時におけるオン抵抗を小さく抑制しながら、半導体基板中のドリフト層の比抵抗を高めてショットキーバリアダイオード領域における垂直方向の電界を緩和し、逆方向耐圧を向上させることが可能な構成の半導体装置を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体装置は、同一半導体基板内に電界効果トランジスタ及びショットキーバリアダイオードを搭載した半導体装置が、ショットキーバリアダイオード領域における第一導電型のドリフト層中の所定の深さに所定のピッチで埋め込まれた第二導電型の埋込ドープ層を備えているものである。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

同一半導体基板内に電界効果トランジスタ及びショットキーバリアダイオードを搭載した半導体装置であって、ショットキーバリアダイオード領域における第一導電型のドリフト層中の所定の深さに所定のピッチで埋め込まれた第二導電型の埋込ドープ層を備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

FI (7件)：

H01L29/78 657D ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/78 653C ,  H01L29/48 F ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/08 102B ,  H01L27/08 102C

Fターム (18件)：

4M104CC05 ,  4M104FF01 ,  4M104FF32 ,  4M104FF35 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  4M104GG18 ,  4M104HH18 ,  5F048AA05 ,  5F048AB10 ,  5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BA02 ,  5F048BB19 ,  5F048BC12 ,  5F048BD07 ,  5F048BD09 ,  5F048CB07

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-140546   出願人：株式会社日立製作所, 関西電力株式会社
• DC-DCコンバータ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-290687   出願人：三洋電機株式会社
• 特開平1-310576